12F675(SMD,ROHS,PIC12F675-I/SN

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12F675(SMD,ROHS,PIC12F675-I/SN 技术参数

12F60B BN R R 功能描述:DIODE ARRAY GP 600V 12A DO203AA 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管配置:1 对共阴极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-203AA 标准包装:1 12F40B BN R R 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.26V @ 38A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-203AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 12F20B BN R R 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.26V @ 38A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-203AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 12F10B BN R R 功能描述:DIODE ARRAY GP 100V 12A DO203AA 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管配置:1 对共阴极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-203AA 标准包装:1 12F100B BN R Y 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.26V @ 38A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-203AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 12FMN-BMTTN-A-TF(LF)(SN) 12FMN-BMTTR-A-TB 12FMN-BMTTR-A-TB(LF)(SN) 12FMN-SMT-A-TF 12FMN-SMT-A-TF(LF)(SN) 12FR005 12FR005E 12FR010 12FR010E 12FR015 12FR015E 12FR020 12FR020E 12FR025 12FR025E 12FR030 12FR030E 12FR040