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1235AS-H-3R3M=P3

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

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  • 深圳市宝芯创电子有限公司
    深圳市宝芯创电子有限公司

    联系人:陈先生

    电话:0755-83228629

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人,可开正规13%专

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  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

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1235AS-H-3R3M=P3 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 3.3μH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 74 mOhm Max Nonstandard
  • 制造商
  • murata electronics north america
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 在售
  • 类型
  • 绕线
  • 材料 - 磁芯
  • 铁氧体
  • 电感
  • 3.3μH
  • 容差
  • ±20%
  • 额定电流
  • 2.1A
  • 电流 - 饱和值
  • 2.3A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 电阻(DCR)
  • 74 毫欧最大
  • 不同频率时的 Q 值
  • -
  • 频率 - 自谐振
  • -
  • 等级
  • -
  • 工作温度
  • -40°C ~ 85°C
  • 频率 - 测试
  • 100kHz
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 非标准
  • 大小/尺寸
  • 0.185" 长 x 0.177" 宽(4.70mm x 4.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)
  • 0.071"(1.80mm)
  • 标准包装
  • 1
1235AS-H-3R3M=P3 技术参数
  • 1235AS-H-2R4M=P3 功能描述:2.4μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 65 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:2.4μH 容差:±20% 额定电流:2.3A 电流 - 饱和值:2.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):65 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.185" 长 x 0.177" 宽(4.70mm x 4.50mm) 高度 - 安装(最大值):0.071"(1.80mm) 标准包装:1 1235AS-H-220M=P3 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 1A 306 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:22μH 容差:±20% 额定电流:1A 电流 - 饱和值:910mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):306 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.185" 长 x 0.177" 宽(4.70mm x 4.50mm) 高度 - 安装(最大值):0.071"(1.80mm) 标准包装:1 1235AS-H-1R8N=P3 功能描述:1.8μH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 56 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1.8μH 容差:±30% 额定电流:2.7A 电流 - 饱和值:3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):56 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.185" 长 x 0.177" 宽(4.70mm x 4.50mm) 高度 - 安装(最大值):0.071"(1.80mm) 标准包装:1 1235AS-H-1R2N=P3 功能描述:1.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.9A 47 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1.2μH 容差:±30% 额定电流:2.9A 电流 - 饱和值:3.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):47 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.185" 长 x 0.177" 宽(4.70mm x 4.50mm) 高度 - 安装(最大值):0.071"(1.80mm) 标准包装:1 1235AS-H-150M=P3 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 192 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:15μH 容差:±20% 额定电流:1.1A 电流 - 饱和值:980mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):192 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.185" 长 x 0.177" 宽(4.70mm x 4.50mm) 高度 - 安装(最大值):0.071"(1.80mm) 标准包装:1 1235F4 1235F5 1235F6 1235F7 1235F8 1235F9 1235L2 1235L2X2 1235L2X3 1235L2X4 1235L2X5 1235L3 1235L3X2 1235L4 1235L4X2 1235L5 1235L5X2 1235S
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